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1N5830R

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    1N5830R
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SCHOTTKY REV 25V DO4
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.1N5830R.pdf
    2.1N5830R.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    580mV @ 25A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    25V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-4
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Altri nomi
    1N5830RGN
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Chassis, Stud Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Schottky, Reverse Polarity
  • Descrizione dettagliata
    Diode Schottky, Reverse Polarity 25V 25A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    2mA @ 20V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    25A
  • Capacità a Vr, F
    -
  • Numero di parte base
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