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464355Immagine GA10JT12-263.GeneSiC Semiconductor

GA10JT12-263

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    GA10JT12-263
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS SJT 1200V 25A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    GA10JT12-263.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Vgs (Max)
    -
  • Tecnologia
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    -
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    120 mOhm @ 10A
  • Dissipazione di potenza (max)
    170W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    -
  • Altri nomi
    1242-1186
    GA10JT12-220ISO
    GA10JT12220ISO
  • temperatura di esercizio
    175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1403pF @ 800V
  • Tipo FET
    -
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    -
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1200V
  • Descrizione dettagliata
    1200V 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)

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