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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > GA50JT17-247
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3116495Immagine GA50JT17-247.GeneSiC Semiconductor

GA50JT17-247

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    GA50JT17-247
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS SJT 1.7KV 100A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    GA50JT17-247.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Vgs (Max)
    -
  • Tecnologia
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    25 mOhm @ 50A
  • Dissipazione di potenza (max)
    583W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • Altri nomi
    1242-1247
  • temperatura di esercizio
    175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo FET
    -
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    -
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1700V
  • Descrizione dettagliata
    1700V 100A (Tc) 583W (Tc) Through Hole TO-247
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

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