Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > GB02SHT03-46
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
4943378Immagine GB02SHT03-46.GeneSiC Semiconductor

GB02SHT03-46

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
1+
$52.11
10+
$48.729
100+
$42.251
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    GB02SHT03-46
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SCHOTTKY 300V 4A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    GB02SHT03-46.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.6V @ 1A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    300V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-46
  • Velocità
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    0ns
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
  • Altri nomi
    1242-1255
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 225°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descrizione dettagliata
    Diode Silicon Carbide Schottky 300V 4A (DC) Through Hole TO-46
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 300V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    4A (DC)
  • Capacità a Vr, F
    76pF @ 1V, 1MHz

Antropico riceve un altro investimento da 4 miliardi di dol...

23/11/2024

Semi: aumento delle vendite di IC del 12% nel terzo tri...

22/11/2024

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "GB02SHT03-46".
GB02SHT01-46

GB02SHT01-46

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 100V 4A

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
GB0400023

GB0400023

Descrizione: CRYSTAL METAL CAN DIP49S

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
GB02SLT06-214

GB02SLT06-214

Descrizione: SIC SCHOTTKY DIODE 650V 2A

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
GB01SLT12-220

GB01SLT12-220

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
GB01SLT12-214

GB01SLT12-214

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2.5A SMB

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
GB02SLT12-220

GB02SLT12-220

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A TO220AC

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
GB0400039

GB0400039

Descrizione: CRYSTAL 4.0000MHZ 20PF TH

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
GB015Z101MA6N

GB015Z101MA6N

Descrizione: CAP CER 100PF 50V X7R SMD

Produttori: AVX Corporation
In magazzino
RFQ
GB0400005

GB0400005

Descrizione: CRYSTAL 4.0000MHZ 16PF TH

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
GB02SLT12-214

GB02SLT12-214

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
GB04001

GB04001

Descrizione: RF ANT 2.4GHZ STAMPED MET SLD

Produttori: Ethertronics
In magazzino
RFQ
GB0502PFV1-8.B2393.GN

GB0502PFV1-8.B2393.GN

Descrizione: FAN BLOWER 25X10MM 5VDC WIRE

Produttori: Sunon
In magazzino
RFQ
GB01SLT06-214

GB01SLT06-214

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 650V 1A DO214AA

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
GB01SLT12-252

GB01SLT12-252

Descrizione: DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
GB02SLT12-252

GB02SLT12-252

Descrizione: DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
GB0503PFV1-8 B1837.GN

GB0503PFV1-8 B1837.GN

Descrizione: FAN BLOWER 30X10MM 5VDC WIRE

Produttori: Sunon
In magazzino
RFQ
GB0504ADB1-8

GB0504ADB1-8

Descrizione: FAN BLOWER 40X7.3MM 5VDC WIRE

Produttori: Sunon
In magazzino
RFQ
GB04001-S

GB04001-S

Descrizione: RF ANTENNA WIFI/ISM/BT/ZIGBEE

Produttori: Ethertronics
In magazzino
RFQ
GB02SHT06-46

GB02SHT06-46

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 600V 4A

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
RFQ
GB0400034

GB0400034

Descrizione: CRYSTAL 4.0000MHZ 30PF TH

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.