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981708Immagine MBR12030CT.GeneSiC Semiconductor

MBR12030CT

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MBR12030CT
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE MODULE 30V 120A 2TOWER
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.MBR12030CT.pdf
    2.MBR12030CT.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    650mV @ 60A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    30V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Twin Tower
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    Twin Tower
  • Altri nomi
    1242-1090
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    4 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Schottky
  • Configurazione diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descrizione dettagliata
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30V 120A (DC) Chassis Mount Twin Tower
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    3mA @ 20V
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    120A (DC)

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Produttori: GeneSiC Semiconductor
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Produttori: GeneSiC Semiconductor
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