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MBR20035CTR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MBR20035CTR
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE MODULE 35V 200A 2TOWER
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.MBR20035CTR.pdf
    2.MBR20035CTR.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    650mV @ 100A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    35V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Twin Tower
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    Twin Tower
  • Altri nomi
    MBR20035CTRGN
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    4 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Schottky
  • Configurazione diodo
    1 Pair Common Anode
  • Descrizione dettagliata
    Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 35V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5mA @ 20V
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    200A (DC)

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