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558937Immagine MSRT25060(A).GeneSiC Semiconductor

MSRT25060(A)

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MSRT25060(A)
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MSRT25060(A).pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.2V @ 250A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    600V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Three Tower
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    Three Tower
  • Altri nomi
    MSRT25060(A)GN
    MSRT25060A
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Configurazione diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descrizione dettagliata
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 250A (DC) Chassis Mount Three Tower
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    15µA @ 600V
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    250A (DC)

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In magazzino
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MSRT20060(A)D

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
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MSRT20080(A)D

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Produttori: GeneSiC Semiconductor
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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
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MSRTA200140(A)D

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Descrizione: DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER

Produttori: GeneSiC Semiconductor
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Descrizione: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER

Produttori: GeneSiC Semiconductor
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MSRT20060(A)

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Descrizione: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER

Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
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Produttori: GeneSiC Semiconductor
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Produttori: GeneSiC Semiconductor
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