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MUR20060CT

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MUR20060CT
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.MUR20060CT.pdf
    2.MUR20060CT.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.7V @ 50A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    600V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Twin Tower
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    110ns
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    Twin Tower
  • Altri nomi
    MUR20060CTGN
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    4 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Schottky
  • Configurazione diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descrizione dettagliata
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 600V 200A (DC) Chassis Mount Twin Tower
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    25µA @ 50V
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    200A (DC)

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Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 20A TO220AC

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descrizione: DIODE MODULE 600V 200A 2TOWER

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Produttori: GeneSiC Semiconductor
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Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 2A AXIAL

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Produttori: GeneSiC Semiconductor
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Descrizione: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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