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194964Immagine MURTA20060.GeneSiC Semiconductor

MURTA20060

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MURTA20060
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MURTA20060.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.7V @ 100A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    600V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Three Tower
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    Three Tower
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    4 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Configurazione diodo
    1 Pair Common Cathode
  • Descrizione dettagliata
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 100A Chassis Mount Three Tower
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    25µA @ 600V
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    100A

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