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S12J

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    S12J
  • Costruttore / Marca
    GeneSiC Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.S12J.pdf
    2.S12J.pdf
  • Tensione - Picco inversa (max)
    Standard
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    12A
  • Tensione - Ripartizione
    DO-4
  • Serie
    -
  • Stato RoHS
    Bulk
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Resistenza a If, F
    -
  • Polarizzazione
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Altri nomi
    S12JGN
  • Tipo montaggio
    Chassis, Stud Mount
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    S12J
  • Descrizione espansione
    Diode Standard 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Configurazione diodo
    10µA @ 50V
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1.1V @ 12A
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    600V
  • Capacità a Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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Descrizione: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

Produttori: GeneSiC Semiconductor
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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

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Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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S12G

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Produttori: GeneSiC Semiconductor
In magazzino
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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

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