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3040888Immagine GP1M005A050H.Global Power Technologies Group

GP1M005A050H

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    GP1M005A050H
  • Costruttore / Marca
    SemiQ
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    GP1M005A050H.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.65 Ohm @ 2.25A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    92.5W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    627pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    500V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 500V 4.5A (Tc) 92.5W (Tc) Through Hole TO-220
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    4.5A (Tc)

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In magazzino
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Produttori: Global Power Technologies Group
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Descrizione: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

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Descrizione: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

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Descrizione: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

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