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Immagine GP1M010A060H.

Global Power Technologies Group

GP1M010A060H

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Specifiche

Modello di prodotti

GP1M010A060H
Costruttore / Marca

SemiQ
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

GP1M010A060H.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

750 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

198W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-3
Altri nomi

1560-1175-1
1560-1175-1-ND
1560-1175-5
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1891pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

600V
Descrizione dettagliata

N-Channel 600V 10A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

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