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6263831Immagine GP2M002A060PG.Global Power Technologies Group

GP2M002A060PG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    GP2M002A060PG
  • Costruttore / Marca
    SemiQ
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 2A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    GP2M002A060PG.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    I-PAK
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    4 Ohm @ 1A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    52.1W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    360pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    9nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 2A (Tc) 52.1W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2A (Tc)

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Descrizione: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM SMD

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