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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > 70T3589S133DR8
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70T3589S133DR8

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    70T3589S133DR8
  • Costruttore / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    2.4 V ~ 2.6 V
  • Tecnologia
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    208-PQFP (28x28)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    208-BFQFP
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    2Mb (64K x 36)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 208-PQFP (28x28)
  • Frequenza dell'orologio
    133MHz
  • Tempo di accesso
    4.2ns

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Descrizione: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
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Descrizione: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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Descrizione: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
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Descrizione: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
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Descrizione: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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