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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > 70T651S10BCI

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Immagine 70T651S10BCI.

IDT (Integrated Device Technology)

70T651S10BCI

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12+

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Specifiche

Modello di prodotti

70T651S10BCI
Costruttore / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

70T651S10BCI.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina

10ns
Tensione di alimentazione -

2.4 V ~ 2.6 V
Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Contenitore dispositivo fornitore

256-CABGA (17x17)
Serie

-
imballaggio

Tray
Contenitore / involucro

256-LBGA
Altri nomi

IDT70T651S10BCI
IDT70T651S10BCI-ND
temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

4 (72 Hours)
Tipo di memoria

Volatile
Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria

Parallel
Formato di memoria

SRAM
Produttore tempi di consegna standard

10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descrizione dettagliata

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 10ns 256-CABGA (17x17)
Numero di parte base

IDT70T651
Tempo di accesso

10ns

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