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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > 70T651S12BFI

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6190420

Immagine 70T651S12BFI.

IDT (Integrated Device Technology)

70T651S12BFI

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14+

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Specifiche

Modello di prodotti

70T651S12BFI
Costruttore / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

70T651S12BFI.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina

12ns
Tensione di alimentazione -

2.4 V ~ 2.6 V
Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Contenitore dispositivo fornitore

208-CABGA (15x15)
Serie

-
imballaggio

Tray
Contenitore / involucro

208-LFBGA
Altri nomi

IDT70T651S12BFI
IDT70T651S12BFI-ND
temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo di memoria

Volatile
Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)
Interfaccia di memoria

Parallel
Formato di memoria

SRAM
Produttore tempi di consegna standard

10 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descrizione dettagliata

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 12ns 208-CABGA (15x15)
Numero di parte base

IDT70T651
Tempo di accesso

12ns

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