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5294351Immagine 70T659S10DR.IDT (Integrated Device Technology)

70T659S10DR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    70T659S10DR
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    10ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.4 V ~ 2.6 V
  • Tecnologia
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    208-PQFP (28x28)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    208-BFQFP
  • Altri nomi
    IDT70T659S10DR
    IDT70T659S10DR-ND
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 10ns 208-PQFP (28x28)
  • Numero di parte base
    IDT70T659
  • Tempo di accesso
    10ns
VE-2NB-MU-F1

VE-2NB-MU-F1

Descrizione: DC DC CONVERTER 95V 200W

Produttori: Vicor
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