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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > 70V06S35J
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70V06S35J

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    70V06S35J
  • Costruttore / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 128K PARALLEL 68PLCC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    1.70V06S35J.pdf
    2.70V06S35J.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    35ns
  • Tensione di alimentazione -
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    68-PLCC (24.21x24.21)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    68-LCC (J-Lead)
  • Altri nomi
    IDT70V06S35J
    IDT70V06S35J-ND
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    128Kb (16K x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 128Kb (16K x 8) Parallel 35ns 68-PLCC (24.21x24.21)
  • Numero di parte base
    IDT70V06
  • Tempo di accesso
    35ns

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