Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > 70V25S20J
Richiesta di offerta online
Italia
4855368Immagine 70V25S20J.IDT (Integrated Device Technology)

70V25S20J

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    70V25S20J
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 128K PARALLEL 84PLCC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    20ns
  • Tensione di alimentazione -
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    84-PLCC (29.21x29.21)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    84-LCC (J-Lead)
  • Altri nomi
    IDT70V25S20J
    IDT70V25S20J-ND
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    128Kb (8K x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 128Kb (8K x 16) Parallel 20ns 84-PLCC (29.21x29.21)
  • Numero di parte base
    IDT70V25
  • Tempo di accesso
    20ns
CL21B473JBCNNND

CL21B473JBCNNND

Descrizione: CAP CER 0.047UF 50V X7R 0805

Produttori: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
In magazzino

Review (1)

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire