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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > 70V261S35PFG
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70V261S35PFG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    70V261S35PFG
  • Costruttore / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 256K PARALLEL 100TQFP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.70V261S35PFG.pdf
    2.70V261S35PFG.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    35ns
  • Tensione di alimentazione -
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    100-TQFP
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    100-LQFP
  • Altri nomi
    IDT70V261S35PFG
    IDT70V261S35PFG-ND
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    256Kb (16K x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 256Kb (16K x 16) Parallel 35ns 100-TQFP
  • Numero di parte base
    IDT70V261
  • Tempo di accesso
    35ns

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Pagamento
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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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