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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > 70V3579S4DR

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Italia

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702112

Immagine 70V3579S4DR.

IDT (Integrated Device Technology)

70V3579S4DR

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Specifiche

Modello di prodotti

70V3579S4DR
Costruttore / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

1.70V3579S4DR.pdf
2.70V3579S4DR.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina

-
Tensione di alimentazione -

3.15 V ~ 3.45 V
Tecnologia

SRAM - Dual Port, Synchronous
Contenitore dispositivo fornitore

208-PQFP (28x28)
Serie

-
imballaggio

Tray
Contenitore / involucro

208-BFQFP
Altri nomi

IDT70V3579S4DR
IDT70V3579S4DR-ND
temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo di memoria

Volatile
Dimensione della memoria

1.125Mb (32K x 36)
Interfaccia di memoria

Parallel
Formato di memoria

SRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descrizione dettagliata

SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 4.2ns 208-PQFP (28x28)
Numero di parte base

IDT70V3579
Tempo di accesso

4.2ns

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