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4813402Immagine 70V657S10DRG.IDT (Integrated Device Technology)

70V657S10DRG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    70V657S10DRG
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Modello ECAD
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    10ns
  • Tensione di alimentazione -
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Tecnologia
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    208-PQFP (28x28)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    208-BFQFP
  • Altri nomi
    IDT70V657S10DRG
    IDT70V657S10DRG-ND
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    1.125Mb (32K x 36)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 10ns 208-PQFP (28x28)
  • Numero di parte base
    IDT70V657
  • Tempo di accesso
    10ns
RLR20C8872FRBSL

RLR20C8872FRBSL

Descrizione: RES 88.7K OHM 1% 1/2W AXIAL

Produttori: Dale / Vishay
In magazzino

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