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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > 70V657S12DRI
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5852115Immagine 70V657S12DRI.IDT (Integrated Device Technology)

70V657S12DRI

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    70V657S12DRI
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    12ns
  • Tensione di alimentazione -
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Tecnologia
    SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    208-PQFP (28x28)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    208-BFQFP
  • Altri nomi
    800-2318
    IDT70V657S12DRI
    IDT70V657S12DRI-ND
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    1.125Mb (32K x 36)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 1.125Mb (32K x 36) Parallel 12ns 208-PQFP (28x28)
  • Numero di parte base
    IDT70V657
  • Tempo di accesso
    12ns
70V658S10BC8

70V658S10BC8

Descrizione: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
70V657S15DR

70V657S15DR

Descrizione: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
70V657S12BFGI8

70V657S12BFGI8

Descrizione: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208FPBGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
70V657S15BC

70V657S15BC

Descrizione: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
70V657S12BCI8

70V657S12BCI8

Descrizione: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
70V657S12BFGI

70V657S12BFGI

Descrizione: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208FPBGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
70V657S12BFI8

70V657S12BFI8

Descrizione: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
70V657S12DR

70V657S12DR

Descrizione: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
70V657S12BCI

70V657S12BCI

Descrizione: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
70V658S10BF

70V658S10BF

Descrizione: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
70V657S12BF

70V657S12BF

Descrizione: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
70V658S10BCG

70V658S10BCG

Descrizione: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
70V657S12BF8

70V657S12BF8

Descrizione: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
70V657S15BF

70V657S15BF

Descrizione: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
70V657S15BF8

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Descrizione: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
70V657S15BC8

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Descrizione: IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
70V658S10BF8

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Descrizione: IC SRAM 2M PARALLEL 208CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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70V657S12DRGI

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Descrizione: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
70V658S10BC

70V658S10BC

Descrizione: IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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70V657S12BFI

70V657S12BFI

Descrizione: IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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