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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > 70V658S12DRI

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Immagine 70V658S12DRI.

IDT (Integrated Device Technology)

70V658S12DRI

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Specifiche

Modello di prodotti

70V658S12DRI
Costruttore / Marca

IDT (Renesas Electronics Corporation)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IC SRAM 2M PARALLEL 208PQFP
Stato Lead senza piombo / RoHS

Contiene piombo / RoHS non conforme
Specifiche

1.70V658S12DRI.pdf
2.70V658S12DRI.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina

12ns
Tensione di alimentazione -

3.15 V ~ 3.45 V
Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous
Contenitore dispositivo fornitore

208-PQFP (28x28)
Serie

-
imballaggio

Tray
Contenitore / involucro

208-BFQFP
Altri nomi

IDT70V658S12DRI
IDT70V658S12DRI-ND
temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo di memoria

Volatile
Dimensione della memoria

2Mb (64K x 36)
Interfaccia di memoria

Parallel
Formato di memoria

SRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Descrizione dettagliata

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2Mb (64K x 36) Parallel 12ns 208-PQFP (28x28)
Numero di parte base

IDT70V658
Tempo di accesso

12ns

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