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4768143Immagine 70V7519S133BF8.IDT (Integrated Device Technology)

70V7519S133BF8

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    70V7519S133BF8
  • Costruttore / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    70V7519S133BF8.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    3.15 V ~ 3.45 V
  • Tecnologia
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    208-CABGA (15x15)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    208-LFBGA
  • Altri nomi
    IDT70V7519S133BF8
    IDT70V7519S133BF8-ND
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 133MHz 4.2ns 208-CABGA (15x15)
  • Frequenza dell'orologio
    133MHz
  • Numero di parte base
    IDT70V7519
  • Tempo di accesso
    4.2ns

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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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