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2970361Immagine 71V65703S85BQGI8.IDT (Integrated Device Technology)

71V65703S85BQGI8

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    71V65703S85BQGI8
  • Costruttore / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.71V65703S85BQGI8.pdf
    2.71V65703S85BQGI8.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    3.135 V ~ 3.465 V
  • Tecnologia
    SRAM - Synchronous ZBT
  • Contenitore dispositivo fornitore
    165-CABGA (13x15)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    165-TBGA
  • Altri nomi
    IDT71V65703S85BQGI8
    IDT71V65703S85BQGI8-ND
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    9Mb (256K x 36)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 8.5ns 165-CABGA (13x15)
  • Numero di parte base
    IDT71V65703
  • Tempo di accesso
    8.5ns

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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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Descrizione: IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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71V65703S85BQGI

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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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Descrizione: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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71V65703S85BQI8

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