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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > IDT71P72804S250BQ
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890491Immagine IDT71P72804S250BQ.IDT (Integrated Device Technology)

IDT71P72804S250BQ

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IDT71P72804S250BQ
  • Costruttore / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    IDT71P72804S250BQ.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SRAM - Synchronous, QDR II
  • Contenitore dispositivo fornitore
    165-CABGA (13x15)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    165-TBGA
  • Altri nomi
    71P72804S250BQ
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    18Mb (1M x 18)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 250MHz 6.3ns 165-CABGA (13x15)
  • Frequenza dell'orologio
    250MHz
  • Numero di parte base
    IDT71P72
  • Tempo di accesso
    6.3ns

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Descrizione: IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71P73604S167BQ

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IDT71P72804S200BQG

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