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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > IDT71P74804S200BQG8
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1332261Immagine IDT71P74804S200BQG8.IDT (Integrated Device Technology)

IDT71P74804S200BQG8

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IDT71P74804S200BQG8
  • Costruttore / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IDT71P74804S200BQG8.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SRAM - Synchronous, QDR II
  • Contenitore dispositivo fornitore
    165-CABGA (13x15)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    165-TBGA
  • Altri nomi
    71P74804S200BQG8
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    18Mb (1M x 18)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 200MHz 8.4ns 165-CABGA (13x15)
  • Frequenza dell'orologio
    200MHz
  • Numero di parte base
    IDT71P74
  • Tempo di accesso
    8.4ns

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IDT71P74804S250BQ8

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IDT71P74804S167BQ

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