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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > IDT71T75602S200PF8
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2571164Immagine IDT71T75602S200PF8.IDT (Integrated Device Technology)

IDT71T75602S200PF8

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IDT71T75602S200PF8
  • Costruttore / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    IDT71T75602S200PF8.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    2.375 V ~ 2.625 V
  • Tecnologia
    SRAM - Synchronous ZBT
  • Contenitore dispositivo fornitore
    100-TQFP (14x14)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    100-LQFP
  • Altri nomi
    71T75602S200PF8
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Synchronous ZBT Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3.2ns 100-TQFP (14x14)
  • Frequenza dell'orologio
    200MHz
  • Numero di parte base
    IDT71T75
  • Tempo di accesso
    3.2ns

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Descrizione: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
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Descrizione: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
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Descrizione: IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

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Descrizione: IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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Descrizione: IC SRAM 18M PARALLEL 119PBGA

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