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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > IDT71V35761SA183BQI8
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3337979Immagine IDT71V35761SA183BQI8.IDT (Integrated Device Technology)

IDT71V35761SA183BQI8

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IDT71V35761SA183BQI8
  • Costruttore / Marca
    IDT (Renesas Electronics Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    1.IDT71V35761SA183BQI8.pdf
    2.IDT71V35761SA183BQI8.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    3.135 V ~ 3.465 V
  • Tecnologia
    SRAM - Synchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    165-CABGA (13x15)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    165-TBGA
  • Altri nomi
    71V35761SA183BQI8
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    4.5Mb (128K x 36)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 183MHz 3.3ns 165-CABGA (13x15)
  • Frequenza dell'orologio
    183MHz
  • Numero di parte base
    IDT71V35761
  • Tempo di accesso
    3.3ns

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IDT71V35761YSA166BQ8

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Descrizione: IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
In magazzino
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Descrizione: IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA

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IDT71V35761SA183BQ8

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Produttori: IDT (Integrated Device Technology)
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