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2678213Immagine IS42S86400D-6TLI.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS42S86400D-6TLI

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IS42S86400D-6TLI
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SDRAM
  • Contenitore dispositivo fornitore
    54-TSOP II
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (64M x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
  • Frequenza dell'orologio
    166MHz
  • Tempo di accesso
    5.4ns
IS42S86400F-6TL

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
In magazzino
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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

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Descrizione: IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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