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6505515Immagine IS43DR16160A-3DBLI-TR.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43DR16160A-3DBLI-TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IS43DR16160A-3DBLI-TR
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR2
  • Contenitore dispositivo fornitore
    84-TWBGA (8x12.5)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    84-TFBGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    256Mb (16M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 333MHz 450ps 84-TWBGA (8x12.5)
  • Frequenza dell'orologio
    333MHz
  • Tempo di accesso
    450ps
IS43DR16160A-37CBLI

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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
In magazzino
IS43DR16160B-37CBL-TR

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Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descrizione: IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43DR16160B-25DBLI-TR

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IS43DR16160B-25DBL-TR

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IS43DR16160A-37CBLI-TR

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IS43DR16160A-3DBL

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IS43DR16160A-3DBI

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IS43DR16160A-5BBLI

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IS43DR16160B-25DBL

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IS43DR16160A-3DBLI

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IS43DR16160A-25EBLI-TR

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