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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > IS43DR86400C-3DBLI-TR

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IS43DR86400C-3DBLI-TR

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Specifiche

Modello di prodotti

IS43DR86400C-3DBLI-TR
Costruttore / Marca

Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IS43DR86400C-3DBLI-TR.pdf
Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina

15ns
Tensione di alimentazione -

1.7 V ~ 1.9 V
Tecnologia

SDRAM - DDR2
Contenitore dispositivo fornitore

60-TWBGA (8x10.5)
Serie

-
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

60-TFBGA
temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo di memoria

Volatile
Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)
Interfaccia di memoria

Parallel
Formato di memoria

DRAM
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata

SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (64M x 8) Parallel 333MHz 450ps 60-TWBGA (8x10.5)
Frequenza dell'orologio

333MHz
Tempo di accesso

450ps

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