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3826059Immagine IS43TR16128C-107MBLI.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS43TR16128C-107MBLI

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IS43TR16128C-107MBLI
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    15ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Tecnologia
    SDRAM - DDR3
  • Contenitore dispositivo fornitore
    96-TWBGA (9x13)
  • Serie
    -
  • Contenitore / involucro
    96-TFBGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 95°C (TC)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    2Gb (128M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM - DDR3 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 933MHz 195ps 96-TWBGA (9x13)
  • Frequenza dell'orologio
    933MHz
  • Tempo di accesso
    195ps
IS43TR16128BL-15HBLI

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
In magazzino
IS43TR16128C-107MBL-TR

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Descrizione: IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS43TR16128BL-125KBLI

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Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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