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599708Immagine IS45S32200L-6TLA2-TR.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS45S32200L-6TLA2-TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IS45S32200L-6TLA2-TR
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SDRAM
  • Contenitore dispositivo fornitore
    86-TSOP II
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    64Mb (2M x 32)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    DRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SDRAM Memory IC 64Mb (2M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 86-TSOP II
  • Frequenza dell'orologio
    166MHz
  • Tempo di accesso
    5.4ns
IS45S32200L-7TLA2

IS45S32200L-7TLA2

Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
In magazzino
IS45S32400B-6BLA1-TR

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Descrizione: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
In magazzino
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Descrizione: IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II

Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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