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1406752Immagine IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR.ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR
  • Costruttore / Marca
    Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 1M PARALLEL 48TFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IS61WV6416EEBLL-10BLI-TR.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    10ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.4 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SRAM - Asynchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    48-TFBGA (6x8)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    48-TFBGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    1Mb (64K x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 10ns 48-TFBGA (6x8)
  • Tempo di accesso
    10ns

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Descrizione: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP2

Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descrizione: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOP

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Descrizione: IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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Descrizione: IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP I

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Descrizione: IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA

Produttori: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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