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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-singolo > IXBX55N300
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493657Immagine IXBX55N300.IXYS Corporation

IXBX55N300

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IXBX55N300
  • Costruttore / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 3000V 130A 625W PLUS247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IXBX55N300.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    3000V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    3.2V @ 15V, 55A
  • Condizione di test
    -
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    -
  • di scambio energetico
    -
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PLUS247™-3
  • Serie
    BIMOSFET™
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    1.9µs
  • Potenza - Max
    625W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    -
  • carica gate
    335nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT 3000V 130A 625W Through Hole PLUS247™-3
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    600A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    130A

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Pagamento
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Produttori: IXYS Corporation
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Descrizione: IGBT 3000V 80A 400W TO268

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
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Descrizione: IGBT 1700V 80A 360W TO268

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Descrizione: IGBT 3000V 50A 250W TO268

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Descrizione: IGBT

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Descrizione: IGBT 2500V

Produttori: IXYS Corporation
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Descrizione: IGBT 1700V 42A 357W TO268

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