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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFB120N50P2

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Immagine IXFB120N50P2.

IXYS Corporation

IXFB120N50P2

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Specifiche

Modello di prodotti

IXFB120N50P2
Costruttore / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza esenzione da piombo / RoHS conforme
Specifiche

IXFB120N50P2.pdf
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 8mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PLUS264™
Serie

HiPerFET™, PolarHV™
Rds On (max) a Id, Vgs

43 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

1890W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-264-3, TO-264AA
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

26 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free by exemption / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

19000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

500V
Descrizione dettagliata

N-Channel 500V 120A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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