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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFH12N80P

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Immagine IXFH12N80P.

IXYS Corporation

IXFH12N80P

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Specifiche

Modello di prodotti

IXFH12N80P
Costruttore / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IXFH12N80P.pdf
Vgs (th) (max) a Id

5.5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-247AD (IXFH)
Serie

HiPerFET™, PolarHT™
Rds On (max) a Id, Vgs

850 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

360W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

24 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2800pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

800V
Descrizione dettagliata

N-Channel 800V 12A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

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