Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFN100N10S1
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
2975396Immagine IXFN100N10S1.IXYS Corporation

IXFN100N10S1

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    IXFN100N10S1
  • Costruttore / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IXFN100N10S1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 4mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-227B
  • Serie
    HiPerFET™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    15 mOhm @ 500mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    360W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    4500pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    180nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 100A (Tc) 360W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "IXFN100N10S1".
IXFN100N10S2

IXFN100N10S2

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFM35N30

IXFM35N30

Descrizione: POWER MOSFET TO-3

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN100N50P

IXFN100N50P

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFM1766

IXFM1766

Descrizione: POWER MOSFET TO-3

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFM11N80

IXFM11N80

Descrizione: POWER MOSFET TO-3

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFM15N60

IXFM15N60

Descrizione: POWER MOSFET TO-3

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFM1633

IXFM1633

Descrizione: POWER MOSFET TO-3

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN106N20

IXFN106N20

Descrizione: MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN100N65X2

IXFN100N65X2

Descrizione: MOSFET N-CH

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFM1627

IXFM1627

Descrizione: POWER MOSFET TO-3

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN100N25

IXFN100N25

Descrizione: MOSFET N-CH 250V 100A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN100N10S3

IXFN100N10S3

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN100N20

IXFN100N20

Descrizione: MOSFET N-CH 200V 100A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFL82N60P

IXFL82N60P

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 55A ISOPLUS 264

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN110N60P3

IXFN110N60P3

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 90A SOT227

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN102N30P

IXFN102N30P

Descrizione: MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B

Produttori: IXYS
In magazzino
RFQ
IXFN100N50Q3

IXFN100N50Q3

Descrizione: MOSFET N-CH 500V 82A SOT-227

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFM10N90

IXFM10N90

Descrizione: POWER MOSFET TO-3

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFM42N20

IXFM42N20

Descrizione: POWER MOSFET TO-3

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFM67N10

IXFM67N10

Descrizione: POWER MOSFET TO-3

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.