Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFN26N100P
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
507276Immagine IXFN26N100P.IXYS Corporation

IXFN26N100P

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
10+
$38.406
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    IXFN26N100P
  • Costruttore / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IXFN26N100P.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    6.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-227B
  • Serie
    Polar™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    390 mOhm @ 13A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    595W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Chassis Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    24 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    11900pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    197nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1000V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 1000V 23A (Tc) 595W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    23A (Tc)

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "IXFN26N100P".
IXFN300N20X3

IXFN300N20X3

Descrizione: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN26N90

IXFN26N90

Descrizione: MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN240N25X3

IXFN240N25X3

Descrizione: MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN24N90Q

IXFN24N90Q

Descrizione: MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN240N15T2

IXFN240N15T2

Descrizione: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN30N120P

IXFN30N120P

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN260N17T

IXFN260N17T

Descrizione: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN230N20T

IXFN230N20T

Descrizione: MOSFET N-CH 200V 220A SOT-227

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN300N10P

IXFN300N10P

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN280N07

IXFN280N07

Descrizione: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN27N80Q

IXFN27N80Q

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN30N110P

IXFN30N110P

Descrizione: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN24N100

IXFN24N100

Descrizione: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN24N100F

IXFN24N100F

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

Produttori: IXYS RF
In magazzino
RFQ
IXFN25N90

IXFN25N90

Descrizione: MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN27N80

IXFN27N80

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN23N100

IXFN23N100

Descrizione: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN280N085

IXFN280N085

Descrizione: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN26N120P

IXFN26N120P

Descrizione: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IXFN230N10

IXFN230N10

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.