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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFP12N65X2
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1405171Immagine IXFP12N65X2.IXYS Corporation

IXFP12N65X2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IXFP12N65X2
  • Costruttore / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    IXFP12N65X2.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220AB
  • Serie
    HiPerFET™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    310 mOhm @ 6A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    180W (Tc)
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Produttore tempi di consegna standard
    24 Weeks
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1134pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    18.5nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    650V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 650V 12A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

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Pagamento
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