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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXFX20N120

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Immagine IXFX20N120.

IXYS Corporation

IXFX20N120

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Specifiche

Modello di prodotti

IXFX20N120
Costruttore / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IXFX20N120.pdf
Vgs (th) (max) a Id

4.5V @ 8mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PLUS247™-3
Serie

HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs

750 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)

780W (Tc)
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-247-3
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7400pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

160nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

1200V
Descrizione dettagliata

N-Channel 1200V 20A (Tc) 780W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc)

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