IXTM67N10

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Specifiche

Modello di prodotti

IXTM67N10
Costruttore / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

POWER MOSFET TO-3
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

IXTM67N10.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4V @ 4mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-204AE
Serie

GigaMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

25 mOhm @ 33.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

300W (Tc)
Contenitore / involucro

TO-204AE
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

67A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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IXTM5N100

Descrizione: POWER MOSFET TO-3

Produttori: IXYS Corporation

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