IXTP34N65X2

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Specifiche

Modello di prodotti

IXTP34N65X2
Costruttore / Marca

IXYS / Littelfuse
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH
Stato Lead senza piombo / RoHS
Specifiche

IXTP34N65X2.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

TO-220AB
Serie

-
Rds On (max) a Id, Vgs

96 mOhm @ 17A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

540W (Tc)
Contenitore / involucro

TO-220-3
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Through Hole
Produttore tempi di consegna standard

24 Weeks
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

650V
Descrizione dettagliata

N-Channel 650V 34A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

Notizie correlate
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IXTP32P20T

Descrizione: MOSFET P-CH 200V 32A TO-220

Produttori: IXYS Corporation

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