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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXTT1N300P3HV
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2128111Immagine IXTT1N300P3HV.IXYS Corporation

IXTT1N300P3HV

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IXTT1N300P3HV
  • Costruttore / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza esenzione da piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    IXTT1N300P3HV.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-268
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    50 Ohm @ 500mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    195W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    24 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free by exemption / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    895pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    30.6nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    3000V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 3000V 1A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1A (Tc)

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Pagamento
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