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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > IXRFSM12N100
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4131626Immagine IXRFSM12N100.IXYS RF

IXRFSM12N100

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    IXRFSM12N100
  • Costruttore / Marca
    IXYS RF
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    5.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    16-SMPD
  • Serie
    SMPD
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.05 Ohm @ 6A, 15V
  • Dissipazione di potenza (max)
    940W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    14 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2875pF @ 800V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    77nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    1000V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 1000V 12A (Tc) 940W Surface Mount 16-SMPD
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

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Pagamento
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Produttori: APEM Inc.
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Produttori: APEM Inc.
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Descrizione: IP67 SEALED GREEN ROUNDPUSHBUTTO

Produttori: APEM Inc.
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Descrizione: IP67 SEALED GREEN ROUNDPUSHBUTTO

Produttori: APEM Inc.
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Produttori: APEM Inc.
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Produttori: IXYS RF
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Produttori: IXYS RF
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Produttori: IXYS Corporation
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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-SOIC

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
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