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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > AUIRLS4030-7P
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AUIRLS4030-7P

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    AUIRLS4030-7P
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7P
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    AUIRLS4030-7P.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D2PAK (7-Lead)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    3.9 mOhm @ 110A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    370W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Altri nomi
    AUIRLS40307P
    SP001522310
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    11490pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    140nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 190A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
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