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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > BSB056N10NN3GXUMA1
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1895362Immagine BSB056N10NN3GXUMA1.International Rectifier (Infineon Technologies)

BSB056N10NN3GXUMA1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BSB056N10NN3GXUMA1
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BSB056N10NN3GXUMA1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    MG-WDSON-2, CanPAK M™
  • Serie
    OptiMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    5.6 mOhm @ 30A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.8W (Ta), 78W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    3-WDSON
  • Altri nomi
    BSB056N10NN3 G
    BSB056N10NN3 G-ND
    BSB056N10NN3 GTR-ND
    BSB056N10NN3G
    BSB056N10NN3GXUMA1TR
    SP000604540
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    5500pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    74nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 9A (Ta), 83A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    9A (Ta), 83A (Tc)

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