International Rectifier (Infineon Technologies)

BSC080P03LSGAUMA1

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Specifiche

Modello di prodotti

BSC080P03LSGAUMA1
Costruttore / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET P-CH 30V 30A TDSON-8
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

BSC080P03LSGAUMA1.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PG-TDSON-8
Serie

OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs

8 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 89W (Tc)
imballaggio

Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro

8-PowerTDFN
Altri nomi

BSC080P03LS GCT
BSC080P03LS GCT-ND
BSC080P03LSGAUMA1CT
temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6140pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

122.4nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

30V
Descrizione dettagliata

P-Channel 30V 16A (Ta), 30A (Tc) 2.5W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Ta), 30A (Tc)

Notizie correlate
spedizione
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Di seguito sono riportati prodotti correlati "BSC080P03LSGAUMA1".

BSC072N03LDGATMA1

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)

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